通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成HEMT等微波射頻器件,應(yīng)用于信息通訊、無(wú)線(xiàn)電探測(cè)等領(lǐng)域。